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台積電首次披露 2 nm 製程的關鍵指標,奈米片將帶來史上最大飛躍

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台積電於 6 月 2 號線上舉辦的 2021 年度技術研討會中,公布了關於未來新製程的進展狀況,其中不管是 6 nm、5 nm、4 nm、3 nm 還是 2 nm 都有新的消息傳來。

特別是 2 nm 製程,目前是各大半導體巨頭角逐的制高點,IBM 先前甚至已經於實驗室內完成設計,並率先發表了 2 nm 晶片,而除了台積電、三星這兩兩大代工巨頭外,歐洲、日本亦是正在野心勃勃地規劃。

台積電 2 nm 將採用全新的奈米片電晶體設計

不同於之前的世代是在相同的基礎架構上不斷演進,台積電 2 nm 製程將會採用真正的全新設計,並且可以稱為史上最大的躍進,其中最大特點就是將會首次導入奈米片(Nanosheet)電晶體,以取代掉目前的 FinFET 架構。

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台積電表示,奈米片電晶體可以更好地控制閾值電壓(Vt),在半導體領域中,Vt 是電路執行所需要的最低電壓,Vt 的任何輕微波動皆會顯著地影響晶片的設計、效能,所以當然是希望 Vt 越小越好。

台積電宣稱,根據測試的結果,奈米片電晶體可以將 Vt 的波動降低至少 15%,而台積電的 2 nm 製程目前剛剛進入正式的研發階段,先前的消息是稱 2 nm 晶片預計在 2023 年試產,並會於 2024 年量產。

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